SCT2280KEGC11

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SCT2280KEGC11

1200V, 14A, THD, SILICON-CARBIDE

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規格

Part Status Active
Base Product Number SCT2280
FET Type N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 364mOhm @ 4A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1.4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 18 V
Vgs (Max) +22V, -6V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 667 pF @ 800 V
Power Dissipation (Max) 108W (Tc)
Operating Temperature 175°C
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-247N
Package TO-247-3
Packaging Tube

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