NTHC5513T1G

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NTHC5513T1G

MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET

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規格

Part Status Obsolete
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Configuration N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.9A, 2.2A
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 180pF @ 10V
Power - Max 1.1W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 8-SMD, Flat Leads
Supplier Device Package ChipFET™
Base Product Number NTHC5513
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 4.5V

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