C3M0065090D

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C3M0065090D

SICFET N-CH 900V 36A TO247-3

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規格

Series C3M™
Part Status Not For New Designs
FET Type N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 36A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 78mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30.4 nC @ 15 V
Vgs (Max) +18V, -8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 660 pF @ 600 V
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-247-3
Package / Case TO-247-3
Base Product Number C3M0065090

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不斷電供應系統: 運費從25美元到45美元(0.5公斤)不等,預計交貨時間為3-7個工作日。

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