BSO615CGXUMA1

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BSO615CGXUMA1

MOSFET N/P-CH 60V 3.1A 8DSO

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規格

Series SIPMOS®
Part Status Obsolete
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Configuration N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.1A (Ta), 2A (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 20µA, 2V @ 450µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 25V, 460pF @ 25V
Power - Max 2W (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package PG-DSO-8
Base Product Number BSO615
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 3.1A, 10V, 300mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22.5nC @ 10V, 20nC @ 10V

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